Hrubý karbid kremíka

Karbid kremíka zrnitosť 100 Popis

Tretia -generácia polovodičových vysokovýkonných{1}} elektronických zariadení, reprezentovaných SiC, je jedným z najrýchlejšie rastúcich výkonových polovodičových zariadení v oblasti výkonovej elektroniky.

 

Karbid kremíka ako typický predstaviteľ tretej generácie polovodičových materiálov, ale aj najvyspelejšia technológia výroby kryštálov a úroveň výroby zariadení, jeden z najpoužívanejších širokopásmových polovodičových materiálov, vytvoril globálny priemyselný reťazec materiálov, zariadení a aplikácií. Je to ideálny polovodičový materiál pre aplikácie s vysokou-teplotou, vysokou-frekvenciou, žiarením-a vysokým-výkonom.

 

 

 

 

Špecifikácia produktov z karbidu kremíka

Dodávatelia produktov z karbidu kremíka-ZhenAn International

 

 

TYPICKÁ CHEMICKÁ ANALÝZA
SiC	99.05%
Si02	0.20%
F,Si	0.03%
Fe203	0.10%
F.C	0.04%
TYPICKÉ FYZICKÉ VLASTNOSTI
Tvrdosť:	Mohs: 9.5
Teplota topenia:	Sublimuje pri 2600 stupňoch
Maximálna prevádzková teplota:	1900 stupňov
Špecifická hmotnosť:	3,2 g/cm³
Objemová hustota (LPD):	1,2-1,6 g/cm3
Farba:	Zelená
Tvar častíc:	Šesťhranné

 

Výrobca karbidu kremíka so zrnitosťou 100-ZhenAn International

 

Dodávateľ prášku SiC-ZhenAn

 

Mechanické vlastnosti:vysoká tvrdosť (Kjeldahlova tvrdosť 3000 kg/mm²), môže rezať rubín; vysoká odolnosť proti opotrebeniu, druhá po diamante.

 

Tepelné vlastnosti:tepelná vodivosť prevyšuje tepelnú vodivosť kovovej medi, 3-krát vyššiu ako Si a 8 až 10-krát vyššiu ako GaAs, dobrý odvod tepla, veľmi dôležitý pre zariadenia s vysokým výkonom.

 

Chemické vlastnosti:odolnosť proti korózii je veľmi silná, pri izbovej teplote môže odolať takmer všetkým známym korozívnym látkam. Jednoduchá oxidácia povrchu SiC na vytvorenie tenkej vrstvy SiO2, môže zabrániť jeho ďalšej oxidácii, pri teplote vyššej ako 1700 stupňov, roztaveniu tejto vrstvy oxidového filmu a rýchlej oxidačnej reakcii. SiC môže byť rozpustený v roztavenom materiáli oxidačného činidla.

 

Elektrické vlastnosti:4H-SiC a 6H-pásmový rozdiel SiC je asi 3-krát väčší ako Si, 2-krát väčší ako GaAs; jeho intenzita elektrického poľa pri rozklade je o jeden rád vyššia ako u Si a rýchlosť saturačného driftu elektrónov je 2,5-krát vyššia ako v prípade Si. 4H-SiC má širšiu medzeru v pásme ako 6H-SiC.

 

36 Zrnitosť karbidu kremíka Fotografie návštevy zákazníka

 

FAQ

 

 

Otázka: Dá sa o cene vyjednávať?

Odpoveď: Áno, neváhajte nás kedykoľvek kontaktovať, ak máte nejaké otázky. A pre klientov, ktorí chcú rozšíriť trh, urobíme všetko pre to, aby sme ich podporili.

Otázka: Môžete poskytnúť bezplatné vzorky?

Odpoveď: Áno, zákazníkom môžeme poskytnúť bezplatné vzorky na kontrolu kvality alebo vykonanie chemických analýz, ale povedzte nám podrobné požiadavky, aby sme pripravili správne vzorky.

Otázka: Kedy môžete dodať tovar?

A: Zvyčajne môžeme dodať tovar do 15-20 dní po obdržaní zálohovej platby alebo pôvodného akreditívu.

Otázka: Môžete poskytnúť protokol o teste vydaný spoločnosťou SGS alebo inou kontrolou-treťou stranou?

Odpoveď: Áno, môžeme, ak si zákazníci vyžiadajú správy o testoch-treťou stranou.

Úprimne dúfame, že budeme vaším partnerom, vítame nových a starých zákazníkov, ktorí navštívia sprievodcu, ako aj rôzne formy rozhovorov o obchodnej spolupráci!

Populárne Tagy: hrubý karbid kremíka, Čína výrobcovia hrubého karbidu kremíka, dodávatelia, továreň, Dodávatelia práškových práškov SIC, Zrnko, Zelený karborundum, Leštenie drsného karbidu kremíka, Kremíkové karbidové médiá, Silikónový karbidový prášok 80 120 GRIT